Lebedev "Mighty Semchan" Semyon Líderes globais na fabricação de DRAM—Samsung Electronics, SK Hynix e Micron—preparam-se para trazer uma transformação revolucionária ao cenário de memória. Até o final de 2025, espera-se que cessem completamente a produção de módulos DDR3 e DDR4, direcionando seus esforços para tecnologias de próxima geração, como DDR5 e memória de alta largura de banda (HBM).
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A decisão de abandonar os padrões de memória legados pode desencadear uma escassez de DDR3 e DDR4 já no meio de 2025. Especialistas preveem que, uma vez interrompida a produção, as cadeias de suprimento enfrentarão pressão significativa, com fabricantes taiwaneses como Nanya Technology e Winbond assumindo parte do espaço. Mesmo assim, essas empresas podem não ser capazes de cobrir totalmente a lacuna esperada.
O motor por trás dessa decisão é a evolução das necessidades da indústria tecnológica. Fabricantes líderes agora priorizam soluções de memória de alto desempenho adaptadas para aplicações de servidores, cargas de trabalho de IA e computação em nuvem. Para acompanhar essa tendência, a Winbond está planejando adotar um processo de fabricação de 16 nm, permitindo a produção de chips de memória avançados de 8 gigabits.
De acordo com a Nanya Technology, o mercado de DRAM deve atingir seu ponto mais baixo na primeira metade de 2025 antes de se recuperar com o crescimento da demanda e a melhoria na gestão de inventário. Adiante, DDR5 e HBM estão prontos para dominar, oferecendo desempenho superior e eficiência energética.
Embora a Samsung e a SK Hynix estejam se afastando dos padrões antigos, outros players, como a chinesa CXMT, podem ocupar o espaço no mercado DDR4. No entanto, analistas permanecem céticos sobre se isso pode compensar plenamente a retirada dos principais atores. Consequentemente, a transição para DDR5 parece inexorável, com usuários dependentes de DDR3 e DDR4 potencialmente enfrentando aumentos de custos e acesso restrito no futuro próximo.
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